微電子與光電子集成技術

第1章 概述
　1.1 微電子技術簡介
　　1.1.1 雙極型微電子技術簡介
　　1.1.2 MOS微電子技術簡介
　　1.1.3 Bi-CMOS微電子技術簡介
　　1.1.4 SOI微電子技術簡介
　1.2 光電子技術簡介
　　1.2.1 光發(fā)射器件簡介
　　1.2.2 光接收器件簡介
　　1.2.3 光波導器件簡介
　　1.2.4 太陽能電池
　　1.2.5 電子圖像顯示器件
　1.3 工藝與制備
　　1.3.1 MBE工藝
　　1.3.2 MOCVD工藝
　　1.3.3 氧化
　　1.3.4 化學氣相沉積（CVD）
　　1.3.5 刻蝕
　　1.3.6 光學光刻
　　1.3.7 離子注入
　　1.3.8 金屬化
　1.4 微電子與光電子集成技術簡介
　參考文獻
第2章 光發(fā)射器件及集成技術
　2.1 光發(fā)射器件理論基礎
　　2.1.1 晶體結構
　　2.1.2 能帶結構
　　2.1.3 雜質(zhì)能級
　　2.1.4 半導體發(fā)光基礎理論
　2.2 光發(fā)射二極管
　　2.2.1 概述
　　2.2.2 半導體光發(fā)射二極管的基本結構
　　2.2.3 發(fā)光二極管性質(zhì)
　　2.2.4 硅基光發(fā)射二極管
　2.3 半導體激光器
　　2.3.1 半導體激光器分類
　　2.3.2 異質(zhì)結激光器
　　2.3.3 分布反饋激光器（DFB-LD）
　　2.3.4 量子阱激光器
　　2.3.5 硅基半導體激光器
　2.4 垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）
　　2.4.1 VCSEL的理論分析
　　2.4.2 VCSEL的總體結構設計
　　2.4.3 VCSEL中反射鏡的設計
　　2.4.4 VCSEL光腔的設計
　　2.4.5 幾種典型的VCSEL結構及其制作工藝
　參考文獻
第3章 光接收器件及集成技術
　3.1 光電探測器理論基礎
　　3.1.1 半導體中的光吸收
　　3.1.2 光生載流子
　3.2 光電探測器性能參數(shù)
　　3.2.1 量子效率和響應度
　　3.2.2 頻率響應
　　3.2.3 噪聲和探測度
　3.3 基于Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的光電探測器
　　3.3.1 PIN型光電探測器
　　3.3.2 APD光電探測器
　　3.3.3 MSM光電探測器
　　3.3.4 GaN基紫外光電探測器
　3.4 基于硅基雙極型工藝的光電探測器
　　3.4.1 與標準雙極工藝兼容的集成光電探測器
　　3.4.2 修改雙極工藝條件下的集成光電探測器
　3.5 基于硅基CMOS工藝的集成光電探測器
　　3.5.1 基于標準CMOS工藝的集成光電探測器
　　3.5.2 定制CMOS工藝下的PIN光電探測器
　　3.5.3 BiCMOS工藝下集成光電探測器
　3.6 鍺硅光電探測器
　3.7 光電探測器陣列
　參考文獻
第4章 光波導器件及集成技術
　4.1 光傳輸?shù)睦碚摳攀?br />　　4.1.1 線光學理論
　　4.1.2 電磁場理論基礎
　4.2 光波導基本結構
　4.3 SOI光波導
　　4.3.1 SOI光波導結構
　　4.3.2 光波導的折射率及損耗系數(shù)
　　4.3.3 硅光波導中損耗的分類
　　4.3.4 硅中的光調(diào)制機制
　4.4 光波導器件制作技術
　　4.4.1 SOI基片的制備
　　4.4.2 SOI波導工藝特點簡介
　4.5 硅基電光調(diào)制器件簡介
　　4.5.1 硅基電光調(diào)制器分類
　　4.5.2 光相位調(diào)制器
　參考文獻
第5章 光電子專用集成電路
第6章 硅基光電子集成回路
第7章 甚短距離光傳輸模塊及相關技術
第8章 微電子與光電子混合集成技術
第9章 微電子與光電子集成技術展望
附錄A 縮略語