射頻和微波混合電路：基礎材料和工藝

第1章 混合微波集成電路與單片微波集成電路
參考文獻
第2章 基本概念
2.1 引言
2.2 麥克斯韋定律
2.3 介電常數與磁導率
2.4 自由空間波長
2.5 傳播速度
2.6 分貝（dB）
2.7 Q值測量
2.8 小信號（S參數）
參考文獻
第3章 平面波導
3.1 阻抗
3.2 微帶
3.2.1 波導波長（λg）
3.3 共面波導
3.4 帶狀線
參考文獻
第4章 電流及損耗
4.1 介質損耗
4.1.1 tanδ
4.1.2 各向異性
4.2 導體損耗
4.2.1 波導波長損耗
4.2.2 衰減
4.2.3 回波損耗
4.2.4 電壓駐波比（VSWR）
4.2.5 趨膚深度
4.2.6 附著層
4.2.7 表面粗糙度
參考文獻
第5章 基片
5.1 玻璃
5.2 單晶
5.3 多晶陶瓷
5.3.1 制造
5.3.2 基片的特性
5.4 低溫共燒陶瓷(LTCC)
5.5 覆銅板材料
5.5.1 玻璃轉化溫度Tg
5.5.2 材料性能
5.5.3 制造
5.5.4 機械刻圖
5.6 清洗
5.6.1 濕法清洗工藝
5.6.2 干法清洗工藝
5.7 安全事項
參考文獻
第6章 厚膜
6.1 絲網印刷
6.2 金屬箔掩模
6.3 光刻厚膜
6.3.1 光刻厚膜
6.3.2 光敏厚膜
6.4 加法工藝
6.4.1 金屬有機物
6.4.2 直接繪圖
6.4.3 直接鍵銅（DBCu）
參考文獻
第7章 薄膜
7.1 物理氣相沉積
7.1.1 蒸發(fā)沉積
7.1.2 濺射
參考文獻
第8章 介質沉積
8.1 等離子增強低壓化學氣相沉積（PELPCVD）
8.2 陽極化
參考文獻
第9章 聚合物
9.1 材料性能
9.1.1 吸濕性
9.1.2 機械性能
9.1.3 玻璃轉化溫度（Tg)
9.1.4 平坦化
9.2 沉積
9.2.1 旋涂
9.2.2 噴涂
9.2.3 絲網印刷
9.2.4 其他沉積方法
9.3 圖形化
9.3.1 濕法刻蝕
9.3.2 干法刻蝕
9.3.3 光敏聚合物
參考文獻
第10章 加工方法
第11章 光刻
11.1 光刻膠
11.1.1 旋涂
11.1.2 噴涂
11.1.3 輥涂
11.1.4 半月涂覆
11.1.5 電沉積
11.1.6 干膜
11.1.7 浸涂
11.2 原圖和掩模
11.3 曝光
11.3.1 非準直光光源
11.3.2 大泛光光源
11.3.3 短泛光光源
11.3.4 準直光光源
11.3.5 激光曝光
參考文獻
第12章 電鍍
12.1 綜述
12.2 無機添加劑
12.3 有機添加劑
12.4 波形
12.4.1 非均衡直流
12.4.2 脈沖
12.5 電場密度
12.6 化學鍍
參考文獻
第13章 刻蝕
13.1 濕法刻蝕
13.2 干法刻蝕
13.2.1 濺射刻蝕
13.2.2 離子束研磨
13.2.3 反應刻蝕技術
13.3 刻蝕對阻抗的影響
參考文獻
第14章 元件
14.1 無源元件
14.1.1 電阻
14.1.2 衰減器
14.1.3 電容器
14.1.4 電感器
14.2 傳輸線元件
14.2.1 互易功分器/功合器
14.2.2 濾波器
參考文獻
第15章 封裝
15.1 集成化
15.2 互連
15.2.1 圓線
15.2.2 條帶
15.2.3 修正的載帶自動鍵合（TAB）
15.2.4 集成的跨接線
15.2.5 外殼
15.2.6 熱膨脹
15.2.7 基板貼裝
15.2.8 接地
15.2.9 通孔
15.2.10 可電鍍性
15.2.11 時域反射計（TDR）
參考文獻
第16章 超導
16.1 高轉變溫度（Tc）材料的性質
16.2 材料因素
16.3 基板材料
16.4 膨脹系數
16.5 緩沖（阻擋）層
16.6 膜的形成
16.6.1 偏軸（off-axis）濺射
16.6.2 脈沖激光沉積
16.6.3 蒸發(fā)
16.6.4 有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)
16.7 圖形制作
16.7.1 濕法刻蝕
16.7.2 干法刻蝕
參考文獻
第17章 微機電系統(tǒng)（MEMS）
參考文獻
附錄A 符號定義
附錄B 公司名錄
附錄C 單位換算
附錄D 對微帶的w/h和εeff的圖解評估