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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本世紀(jì)頭20年，我國(guó)經(jīng)濟(jì)建設(shè)的主要任務(wù)是推動(dòng)經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)戰(zhàn)略性調(diào)整，基本實(shí)現(xiàn)工業(yè)化，大力推進(jìn)信息化，加快建設(shè)現(xiàn)代化，保持國(guó)民經(jīng)濟(jì)持續(xù)快速健康發(fā)展。標(biāo)準(zhǔn)化是工業(yè)化、信息化和現(xiàn)代化的重要基礎(chǔ)，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成為國(guó)際經(jīng)濟(jì)、科技競(jìng)爭(zhēng)的重要手段。為全面提升我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)工作的技術(shù)水平，適應(yīng)加入wT0以后在高技術(shù)領(lǐng)域所面臨的競(jìng)爭(zhēng)，全國(guó)科技工作會(huì)議從推進(jìn)我國(guó)“十五”科技發(fā)展的高度提出實(shí)施“人才、專利、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)”三大戰(zhàn)略，并在科技部重大專項(xiàng)實(shí)施過(guò)程中突出強(qiáng)調(diào)三大戰(zhàn)略的落實(shí)。半導(dǎo)體材料是新材料的重要組成部分，在集成電路產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著重要支撐作用。國(guó)家科技部在“十五”科技發(fā)展計(jì)劃中，將超大規(guī)模集成電路配套材料列為重點(diǎn)發(fā)展的12個(gè)重大專項(xiàng)內(nèi)容之一，以0.13-0.10um技術(shù)硅集成電路所需配套材料為主攻方向，加強(qiáng)自主創(chuàng)新，根據(jù)世界發(fā)展趨勢(shì)，跨越式地有重點(diǎn)地進(jìn)行研究開(kāi)發(fā)，對(duì)市場(chǎng)用量大的微電子配套材料進(jìn)行工程化技術(shù)體系研究，形成專業(yè)化和規(guī)模化生產(chǎn)。相關(guān)材料標(biāo)準(zhǔn)體系研究是工程化技術(shù)體系的重要內(nèi)容之一。北京有色金屬研究總院等單位在總結(jié)現(xiàn)有國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上，編輯出版的《國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編》一書(shū)，不僅為我國(guó)從事半導(dǎo)體材料研究、生產(chǎn)和使用的科研、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢測(cè)評(píng)價(jià)、管理、大專院校等各類人員提供了一本內(nèi)容全面的工具書(shū)，而且對(duì)推進(jìn)我國(guó)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)工作具有重要意義。值此《國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編》出版之際，希望北京有色金屬研究總院等半導(dǎo)體材料界的技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)單位能夠繼續(xù)努力，將科技創(chuàng)新活動(dòng)與標(biāo)準(zhǔn)化工作緊密結(jié)合起來(lái)，使我國(guó)最新的科研成果用標(biāo)準(zhǔn)的形式體現(xiàn)出來(lái)，為促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步和行業(yè)發(fā)展做出新的更大貢獻(xiàn)。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

一、我國(guó)半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)
　1.基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)
　　GB/T 8756-1988　鍺晶體缺陷圖譜
　　GB/T 13389-1992　摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
　　GB/T 14264-1993　半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
　　GB/T 14844-1993　半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法
　　GB/T 16595-1996　晶片通用網(wǎng)絡(luò)規(guī)范
　　GB/T 16596-1996　確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范
YS/T 209-1994　硅材料原生缺陷圖譜（原GBn 266-87）
　2.產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)
　　GB/T 2881-1991　工業(yè)硅技術(shù)條件
　　GB/T 5238-1995 鍺單晶
　　GB/T 101 18-1988　高純鎵
　　GB/T 1 1069-1989　高純二氧化鍺
　　GB/T 1 1070-1989　還原鍺錠
　　GB/T 1 1071-1989　區(qū)熔鍺錠
　　GB/T 1 1072-1989　銻化銦多晶、單晶及切割片
　　GB/T 1 1093-1989　液封直拉法砷化鎵單晶及切割片
　　GB/T 1 1094-1989　水平法砷化鎵單晶及切割片
　　GB/T 12962-1996　硅單晶
　　GB/T 12963-1996　硅多晶
　　GB/T 12964-2003　硅單晶拋光片
　　GB/T 12965-1996　硅單晶切割片和研磨片
　　GB/T 14139-1993　硅外延片
　　GB/T 15713-1995　鍺單晶片
YS/T 13-1991　高純四氯化鍺
YS/T 28-1992　硅片包裝
YS/T 43-1992　高純砷
YS/T 264-1994　高純銦（原GB 8003-87）
Ys/T 290-1994　霍爾器件和甘氏器件用砷化鎵液相外延片（原GB 1 1095-89）
YS/T 300-1994　鍺富集物（原zB H 31003-87）
　3.方法標(biāo)準(zhǔn)
　　GB/T 1550-1997　非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法
　　GB/T 1551-1995　硅、鍺單晶電阻率測(cè)定　直流兩探針?lè)?br />　　GB/T 1552-1995　硅、鍺單晶電阻率測(cè)定　直排四探針?lè)?br />　　GB/T 1553-1997　硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法
　　GB/T 1554-1995　硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
　　GB/T 1555-1997　半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
　　GB/T 1557-1989　硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法
　　GB/T 1558-1997　硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法
　　GB/T 4058-1995　硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
　　GB/T 4059-1983　硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法
　　GB/T 4060-1983　硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法
　　GB/T 4061-1983　硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
　　GB/T 4298-1984　半導(dǎo)體硅材料中雜質(zhì)元素的活化分析方法
　　GB/T 4326-1984 非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法
　　GB/T 5252-1985　鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法
　　GB/T 6616-1995　半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法
　　GB/T 6617-1995　硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針?lè)?br />　　GB/T 6618-1995　硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
　　GB/T 6619-1995　硅片彎曲度測(cè)試方法
　　GB/T 6620-1995　硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法
　　GB/T 6621-1995　硅拋光片表面平整度測(cè)試方法
　　GB/T 6624-1995　硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法
　　GB/T 8757-1988　砷化鎵中載流子濃度等離子共振測(cè)量方法
　　GB/T 8758-1988　砷化鎵外延層厚度紅外干涉測(cè)量方法
　　GB/T 8760-1988　砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法
　　GB/T 11068-1989 砷化鎵外延層載流子濃度電容一電壓測(cè)量方法
　　GB/T 11073-1989　硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法
　　GB/T 13387-1992 電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法
　　GB/T 13388-1992　硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向x射線測(cè)量方法
　　GB/T 14140.1-1993　硅片直徑測(cè)量方法光學(xué)投影法
　　GB/T 14140.2-1993　硅片直徑測(cè)量方法千分尺法
　　GB/T 1414l-1993　硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定直排四探針?lè)?br />　　GB/T 14142-1993　硅外延層晶體完整性檢驗(yàn)方法腐蝕法
　　GB/T 14143-1993　300-900&m硅片間隙氧含量紅外吸收測(cè)量方法
　　GB/T 14144-1993　硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法
　　GB/T 14145-1993　硅外延層堆垛層錯(cuò)密度測(cè)定干涉相襯顯微鏡法
　　GB/T 14146-1993　硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容一電壓法
　　GB/T 14847-1993 重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法
　　GB/T 14849.1-1993 工業(yè)硅化學(xué)分析方法　1，10一二氮雜菲分光光度法測(cè)定鐵量
　　GB/T 14849.2-1993　工業(yè)硅化學(xué)分析方法　鉻天青-S分光光度法測(cè)定鋁量
　　GB/T 14849.3-1993　工業(yè)硅化學(xué)分析方法　鈣量的測(cè)定
　　GB/T 15615-1995　硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法
二、SEMI標(biāo)準(zhǔn)