納電子學(xué)導(dǎo)論

定　價：￥54.00

作　者：	蔣建飛編著
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項：	納電子學(xué)叢書
標(biāo)　簽：	納米材料研究

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ISBN：	9787030156853	出版時間：	2006-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	421	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

本書較系統(tǒng)地概述了納米科學(xué)和技術(shù)的最重要的分支--納電子學(xué)。全書共7章。第1章為時空尺度和輸運范圍，第2章為納米結(jié)構(gòu)和低維性，第3章為納米結(jié)構(gòu)中的介觀現(xiàn)象，第4章為單電子器件和電路，第5章為納米MOs器件和電路，第6章為分子器件和電路，第7章為未來可能的發(fā)展。本書可以作為電子科學(xué)技術(shù)、物理學(xué)、計算機科學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)、材料學(xué)等交叉學(xué)科中從事納米科學(xué)技術(shù)學(xué)習(xí)和研究的本科生、碩士研究生、博士研究生的教材或參考書，也可作為納米科學(xué)技術(shù)和相關(guān)學(xué)科的科學(xué)家、工程師、教師的參考書。

作者簡介

暫缺《納電子學(xué)導(dǎo)論》作者簡介

圖書目錄

前言
第1章時空尺度和輸運范圍
1.1 引言
1.2 納米尺度
1.3 介觀尺度
1.4 電子輸運范圍
參考文獻(xiàn)
第2章納米結(jié)構(gòu)和低維性
2.1 2D納米結(jié)構(gòu)
2.2 1D納米結(jié)構(gòu)
2.3 0D納米結(jié)構(gòu)
2.4 低維性和態(tài)密度
參考文獻(xiàn)
第3章納米結(jié)構(gòu)中的介觀現(xiàn)象
3.1 Bloch定理和有效質(zhì)量
3.2 電導(dǎo)量子化
3.3 熱導(dǎo)量子化
3.4 單電子現(xiàn)象
3.5 人造原子
3.6 量子環(huán)
3.7 量子圍環(huán)和量子攝影
3.8 普適電導(dǎo)漲落
參考文獻(xiàn)
第4章單電子器件和電路
4.1 納米器件
4.2 單電子研究簡史
4.3 性能的理論極限
4.4 測控條件和電源影響
4.5 理論背景
4.6 單電子隧道結(jié)
4.7 單電子箱
4.8 單電子晶體管
4.9 單電子陷阱
4.10 單電子旋轉(zhuǎn)門和單電子泵
4.11 單電子振蕩器
4.12 單電子電路概論
4.13 單電子計量學(xué)電路
4.14 單電子邏輯電路
參考文獻(xiàn)
第5章納米MOS器件和電路
5.1 實驗型納米MOS哭件
5.2 按比例縮小法則
5.3 納米MOS電路設(shè)計分析中的器件模型
5.4 納米MOS邏輯電路
5.5 納米MOS模擬電路
參考文獻(xiàn)
第6章分子器件和電路
6.1 背景
6.2 分子器件
6.3 聚亞苯基分子邏輯電路
6.4 交叉納米線電路
6.5 碳基納米電路
6.6 卟啉納米電路
第7章未來可能的發(fā)展
7.1 納米CMOS器件的發(fā)展極限
7.2 自展開神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
7.3 混合型納米ULSI
參考文獻(xiàn)