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COMS電路設(shè)計布局與仿真

COMS電路設(shè)計布局與仿真

定　價：￥79.00

作　者： （美）貝克（Baker R.J.） 等 著；陳中建 譯
出版社： 機械工業(yè)出版社
叢編項： 電子與電氣工程叢書
標(biāo)　簽： 集成電路
ISBN： 9787111165040 出版時間： 2006-01-01 包裝： 平裝
開本： 16開 頁數(shù)： 695 字數(shù)：  

內(nèi)容簡介

　　本書借助PC版的電路設(shè)計軟件LASI，全面闡述了CMOS集成電路設(shè)計的相關(guān)知識，內(nèi)容覆蓋集成電路設(shè)計、仿真和物理實現(xiàn)的全過程。書中以現(xiàn)代觀點對大量模擬和數(shù)字電路模塊、BSIM模型、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的體系結(jié)構(gòu)等內(nèi)容進行了深入討論。本書可以與學(xué)術(shù)界和工業(yè)界常用的標(biāo)準(zhǔn)EDA軟件（如Cadence、L-Edit、Magic、Mentor等）配套使用，可以作為集成電路設(shè)計師、版圖設(shè)計師、集成電路項目管理人員以及相關(guān)專業(yè)的教授和科研工作者的高層次教科書或參考書。主要內(nèi)容●鎖相環(huán)和延遲鎖相環(huán)、混合信號電路以及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計●1000多張圖表、200多個實例和500多道章末習(xí)題●對模擬和數(shù)字電路設(shè)計技術(shù)的深入討論●使用了工業(yè)界芯片加工廠提供的工藝參數(shù)和設(shè)計規(guī)則●MOSIS制造流程及其他重要專題

作者簡介

　　R.JacobBaker，博伊西州立大學(xué)電子工程系教授、系主任。他講授多門CMOS模擬和數(shù)字電路設(shè)計課程，并是該領(lǐng)域的國際顧問。Baker博士曾供職于E.G.G.能量測量公司、LawrenceLivermore國家實驗室和MicronSemiconductor公司，有8年的業(yè)界工作經(jīng)驗。他把業(yè)界的經(jīng)驗帶進了課堂，并于2000年獲IEEE最佳論文獎。他的個人主頁是：http：//cmosedu.com/jbaker/jbaker.htm。陳中建，北京大學(xué)微電子學(xué)系副教授，講授低功耗CMOS集成電路設(shè)計、模擬集成電路分析與設(shè)計等課程，近幾年主要從事與探測器配套的數(shù)模混合ASIC設(shè)計研究。

圖書目錄

譯者序
前言
第一部分 CMOS基礎(chǔ)
  第1章 概述
  第2章 阱
  第3章 金屬層
  第4章 有源區(qū)層和多晶硅層
  第5章 MOSFET
  第6章 BSIM SPICE模型
  第7章 CMOS無源元件
  第8章 用LasiCkt做設(shè)計驗證
  第9章 MOSFET的模擬模型
  第10章 MOSFET的數(shù)字模型
第二部分 CMOS數(shù)字電路
  第11章 反相器
  第12章 靜態(tài)邏輯門
  第13章 傳輸門和觸發(fā)器
  第14章 動態(tài)邏輯電路
  第15章 VLSI版圖設(shè)計
  第16章 BiCMOS邏輯門
  第17章 存儲電路
  第18章 專用數(shù)字電路
  第19章 數(shù)字鎖相環(huán)
第三部分 CMOS模擬電路
  第20章 電流源和電流沉
  第21章 基準(zhǔn)源
  第22章 放大器
  第23章 反饋放大器
  第24章 差分放大器
  第25章 運算放大器
第四部分 混合信號電路
  第26章 非線性模擬電路
  第27章 動態(tài)模擬電路
  第28章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器基礎(chǔ)
  第29章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)
附錄
  附錄A Orbit CN20工藝
  附錄B MOSIS按比例設(shè)計規(guī)劃
  附錄C HP CMOS14TB工藝
索引

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