壓電薄膜的制備結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

定　價：￥15.00

作　者：	許小紅等編
出版社：	科學出版社
叢編項：
標　簽：	晶體學

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ISBN：	9787030108074	出版時間：	2003-01-01	包裝：	精裝
開本：		頁數(shù)：	175	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書系統(tǒng)地介紹了壓電學的基本原理和壓電薄膜的制備方法。形成過程、結(jié)構(gòu)特征及其應(yīng)用。全書共分七章。前四章為壓電材料與壓電學基礎(chǔ)、壓電薄膜的制備方法、薄膜的結(jié)構(gòu)與缺陷、薄膜結(jié)構(gòu)和組成的分析測試方法。第五章和第六章為作者在AlN壓電薄膜方面的研究成果：AlN薄膜的擇優(yōu)取向結(jié)構(gòu)，AlN薄膜的表面結(jié)構(gòu)和組成。第七章為壓電薄膜的應(yīng)用。本書體系完整。內(nèi)容豐富，基礎(chǔ)理論論述簡潔。本書可供從節(jié)壓電薄膜材料研究的科技人員以及從事表聲波和體波器件研制的工程技術(shù)人員參閱，也可供高等院校相關(guān)專業(yè)的師生和研究生參考。

作者簡介

暫缺《壓電薄膜的制備結(jié)構(gòu)與應(yīng)用》作者簡介

圖書目錄

序
前言
第一章壓電材料與壓電學基礎(chǔ)
1.1 壓電材料的發(fā)展
1.2 晶體的點陣結(jié)構(gòu)和對稱性
1.3 晶體的壓電性質(zhì)
1.4 壓電薄膜的電學性質(zhì)
參考文獻
第二章壓電薄膜的制備方法
2.1 真空基礎(chǔ)基礎(chǔ)
2.2 真空蒸發(fā)鍍膜
2.3 濺射鍍膜
2.4 化學氣相沉積
2.5 磁控濺射制備AIN薄膜
參考文獻
第三章薄膜的形成、結(jié)構(gòu)與缺陷研究
3.1 薄膜的形成過程
3.2 薄膜的機構(gòu)
3.3 薄膜的缺陷
參考文獻
第四章薄膜材料的表征方法
4.1 薄膜厚度的測量
4.2 薄膜結(jié)構(gòu)的表征
4.3 薄膜成分的分析
參考文獻
第五章 AIN薄膜擇優(yōu)取向的研究
5.1 濺射氣壓對薄膜擇優(yōu)取向的影響
5.2 靶基距對薄膜則有取向的影響
5.3 靶功率對薄膜則有取向的影響
5.4 氮氣濃度對薄膜則有取向的影響
5.5 基片種類對薄膜則有取向的影響
5.6 薄膜則有取向機理的探討
5.7 薄膜則有取向程度與實驗參數(shù)之間的函數(shù)關(guān)系
5.8 薄膜的組織
參考文獻
第六章 AIN薄膜的表面結(jié)構(gòu)和組成分析
6.1 AIN薄膜的表面粗糙度分析
6.2 AIN薄膜的組成分析
參考文獻
第七章壓電薄膜的反應(yīng)
7.1 聲表面波器件應(yīng)用
7.2 壓電薄膜題波模的應(yīng)用
參考文獻
附錄 230個晶體學空間群