微電子材料與制程

      序 言   編者序   作者簡介      第一章 概覽   1-1 微電子工業(yè)   1-2 微電子材料   1-3 材料的電性   1-4 硅晶集成電路   1-5 集成電路工藝   1-6 微電子材料特性   1-7 微電子材料的應(yīng)用   1-8 未來挑戰(zhàn)與展望   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第二章 半導(dǎo)體基本理論   2-1 簡介   2-2 晶體結(jié)構(gòu)   2-3 能帶結(jié)構(gòu)   2-4 有效質(zhì)量與電子輸運(yùn)性質(zhì)   2-5 電子濃度與費(fèi)米分布   2-6 異質(zhì)半導(dǎo)體（Extrinsic Semiconductor）   2-7 半導(dǎo)體的界面   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第三章 硅晶圓材料制造技術(shù)   3-1 簡介   3-2 多晶硅原料   3-3 單晶生長設(shè)備   3-4 單晶生長程序及相關(guān)理論   3-5 晶圓加工成形（Modification）   3-6 晶圓拋光（Polishing）   3-7 晶圓清洗（Water Cleaning）   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第四章 硅晶薄膜   4-1 簡介   4-2 硅晶薄膜工藝原理及反應(yīng)機(jī)制   4-3 硅外延（Epitaxial Si）   4-4 多晶硅（Poly-Si）   4-5 非晶硅（Amorphous Si）   4-6 結(jié)論   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第五章 半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)   5-1 簡介   5-2 濕法刻蝕技術(shù)   5-3 干法刻蝕技術(shù) （等離子體刻蝕技術(shù)）   5-4 金屬刻蝕（Metal Etch）   5-5 總結(jié)   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第六章 光刻技術(shù)   6-1 簡介   6-2 光刻方式   6-3 光刻掩模版與模板   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第七章 離子注入   7-1 前言   7-2 離子注入設(shè)備   7-3 離子注入的基本原理   7-4 離子分布與模擬方法   7-5 離子注入造成的硅襯底損傷與熱退火   7-6 離子注入在集成電路制造上的應(yīng)用   7-7 離子注入工藝實(shí)務(wù)   7-8 結(jié)束語   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第八章 金屬薄膜與工藝   8-1 簡介   8-2 金屬接觸   8-3 柵電極（Gate Electrode）   8-4 器件間互連（Interconnect）   8-5 栓塞（Plug）   8-6 擴(kuò)散阻擋層   8-7 黏著層（Adhesion Layer）   8-8 抗反射覆蓋層（Anti-Reflection Coating）   8-9 工藝整合問題   8-10 銅金屬化   8-11 展望   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第九章 氧化，介電層   9-1 簡介   9-2 氧化層的形成方法   9-3 特殊電介質(zhì)   9-4 氧化電介質(zhì)的電性及物質(zhì)特性   9-5 氧化電介質(zhì)的應(yīng)用   9-6 結(jié)束語   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第十章 電子封裝技術(shù)   10-1 前言   10-2 芯片粘結(jié)   10-3 互連技術(shù)   10-4 引腳架   10-5 薄/厚膜技術(shù)   10-6 陶瓷封裝   10-7 封裝的密封   10-8 塑料封裝   10-9 印刷電路板   10-10 焊錫與錫膏   10-11 器件與電路板的接合   10-12 清潔與涂封   10-13 新型封裝技術(shù)   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      第十一章 材料分析技術(shù)在集成電路工藝中的應(yīng)用   11-1 簡介   11-2 材料分析技術(shù)   11-3 集成電路工藝模塊的觀察實(shí)例   11-4 各種IC產(chǎn)品的基本結(jié)構(gòu)   11-5 結(jié)束語   參考文獻(xiàn)   習(xí) 題      中英文索引      英中文索引