SOC設計與測試

第一部分 設計
第1章 緒論
1.1 當前SoC的結構
1.2 SoC設計中的問題
1.3 硬件軟件協(xié)同設計
1.3.1 協(xié)同設計流程
1.3.2 協(xié)同設計工具
1.4 核庫、EDA工具和網(wǎng)址
1.4.1 核庫
1.4.2 EDA工具和提供商
1.4.3 網(wǎng)上站點
參考文獻
第2章 邏輯核的設計方法
2.1 SoC設計流程
2.2 設計復用的一般原則
2.2.1 同步設計
2.2.2 存儲器和混合信號設計
2.2.3 片上總線
2.2.4 時鐘分配
2.2.5 清零/置位/復位信號
2.2.6 物理設計
2.2.7 可交付模型
2.3 軟核和固核的設計流程
2.3.1 設計流程
2.3.2 軟核/固核的開發(fā)流程
2.3.3 RTL設計規(guī)則
2.3.4 軟核/固核產(chǎn)品化
2.4 硬核設計流程
2.4.1 硬核設計中的特有問題
2.4.2 硬核開發(fā)流程
2.5 交付檢查表與可交付的核
2.5.1 交付檢查表
2.5.2 軟核交付
2.5.3 硬核交付
2.6 系統(tǒng)集成
2.6.1 使用硬核設計
2.6.2 使用軟核設計
2.6.3 系統(tǒng)驗證
參考文獻
第3章 存儲器與模擬核的設計方法
3.1 使用大容量的嵌入式存儲器的原因
3.2 嵌入式存儲器的設計方法
3.2.1 電路技術
3.2.2 存儲器編譯器
3.2.3 仿真模型
3.3 模擬電路的技術要求
3.3.1 模/數(shù)轉(zhuǎn)換器
3.3.2 數(shù)/模轉(zhuǎn)換器
3.3.3 鎖相環(huán)
3.4 高速器件
3.4.1 Rambus ASIC單元
3.4.2 IEEE 1394串行總線（Firewire）PHY層
3.4.3 高速I/O
參考文獻
第4章 設計的確認
4.1 核級確認
4.1.1 核的確認方案
4.1.2 測試平臺
4.1.3 核級時序驗證
4.2 核接口的驗證
4.2.1 協(xié)議驗證
4.2.2 門級仿真
4.3 SoC的設計確認
4.3.1 協(xié)同仿真
4.3.2 硬仿真
4.3.3 硬件原型
參考文獻
第5章 核及SoC設計實例
5.1 微處理器核
5.1.1 V830R/AV超標量RISC核
5.1.2 PowerPC 603e G2核的設計
5.2 關于存儲器核生成器
5.3 核的集成和片上總線
5.4 SoC設計實例
5.4.1 媒體處理器
5.4.2 機頂盒SoC系統(tǒng)的可測性
參考文獻
第二部分 測試
第6章 數(shù)字邏輯核的測試
6.1 SoC測試問題
6.2 訪問、控制及隔離
6.3 IEEE P1500的成果
6.3.1 無邊界掃描的核
6.3.2 核測試語言
6.3.3 帶有邊界掃描的核
6.4 核測試和IP保護
6.5 用于設計復用的測試方法
6.5.1 核可測性的方針
6.5.2 高層次測試綜合
6.6 微處理器核的測試
6.6.1 內(nèi)建自測試方法
6.6.2 舉例：ARM處理器核的可測性
6.6.3 對微處理器核的調(diào)試支持
參考文獻

第7章 嵌入式存儲器的測試
7.1 存儲器的故障模型和測試算法
7.1.1 故障模型
7.1.2 測試算法
7.1.3 測試算法的有效性
7.1.4 用多數(shù)據(jù)背景來修改測試
7.1.5 多端口存儲器時的修改
7.1.6 用于雙緩沖存儲器的算法
7.2 嵌入式存儲器的測試方法
7.2.1 用ASIC功能測試方法進行測試分析
7.2.2 直接訪問的測試應用
7.2.3 掃描寄存器或環(huán)繞寄存器的測試應用
7.2.4 存儲器內(nèi)建自測試
7.2.5 通過片上微處理器進行測試
7.2.6 嵌入式存儲器測試算法小結
7.3 存儲器的冗余和修復
7.3.1 硬修復
7.3.2 軟修復
7.4 檢錯和糾錯編碼
7.5 含大型嵌入式存儲器的SoC的生產(chǎn)測試
參考文獻137
第8章 模擬和混合信號核的測試
8.1 模擬參數(shù)及特性
8.1.1 數(shù)/模轉(zhuǎn)換器
8.1.2 模/數(shù)轉(zhuǎn)換器
8.1.3 鎖相環(huán)
8.2 用于模擬核的可測性設計和內(nèi)建自測試方法
8.2.1 Fluence Technology公司的模擬BIST方案
8.2.2 LogicVision公司的模擬BIST方案
8.2.3 通過片上微處理器進行測試
8.2.4 IEEE P1149.4
8.3 特殊模擬電路的測試
8.3.1 Rambus ASIC單元
8.3.2 1394串行總線/Firewire的測試
參考文獻157
第9章 Iddq測試
9.1 物理缺陷
9.1.1 橋接（短路）
9.1.2 柵氧化缺陷
9.1.3 開路（斷線）
9.1.4 Iddq測試的有效性
9.2 SoC中Iddq測試的困難
9.3 基于Iddq測試的設計
9.4 Iddq測試設計規(guī)則
9.5 Iddq測試向量的產(chǎn)生
參考文獻
第10章 生產(chǎn)測試
10.1 生產(chǎn)測試流程
10.2 全速測試
10.2.1 RTD和無效周期
10.2.2 Flyby
10.2.3 速度分類
10.3 產(chǎn)能和材料傳送
10.3.1 測試后勤
10.3.2 測試儀器設置
10.3.3 多DUT測試
參考文獻
第11章 總結與結論
11.1 總結
11.2 未來的前景
附錄A設計復用的RTL指導原則
A.1命名習慣
A.2編碼的一般指導原則
A.3面向綜合的RTL開發(fā)
A.4RTL檢查
作者簡介
中英文名詞對照表