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內(nèi)容簡介

　　本教材系按“1996—2000年全國電子信息類專業(yè)教材編審出版規(guī)劃”，由“全國高校微電子技術(shù)專業(yè)教學(xué)指導(dǎo)委員會”編審?fù)扑]出版。本書共分4部分，第1部分（第1～3章）為基礎(chǔ)知識，主要介紹雙極集成電路、MOS集成電路和Bi-CMOS電路的典型制造工藝，各制造工藝生成的集成電路元器件的結(jié)構(gòu)，集成電路元器件的形成過程，元器件的特性及其寄生效應(yīng)等。第2部分（第4～11章）介紹雙極和MOS數(shù)字集成電路（包括雙極TTL、ECL和I2L電路，各種MOS和CMOS數(shù)字電路）的特性以及分析方法，各種邏輯系列之間的電平轉(zhuǎn)換電路，使讀者對各種電路的特點及適用的場合有一個基本的了解。第3部分（第12～16章）介紹模擬集成電路，首先介紹模擬集成電路中的基本單元電路，如各種放大電路、有源負(fù)載、恒流源電路、電壓源電路、電平位移電路、雙端輸出變單端輸出電路、輸出級及其保護(hù)電路等。接著介紹集成運算放大器、集成穩(wěn)壓電源電路及開關(guān)電容電路、A/D、D/A變換電路等幾種常用的模擬集成電路。第4部分（第17～22章）專門介紹集成電路設(shè)計，即如何實現(xiàn)設(shè)計目標(biāo)。首先介紹了集成電路的版圖設(shè)計規(guī)則，給出了雙極集成電路和MOS集成電路版圖設(shè)計規(guī)則的部分圖例。接著，以74HC139MOS集成電路和5JZ12雙極集成電路為例，詳細(xì)介紹集成電路正向設(shè)計的全過程。然后，以74HC193MOS集成電路為例，介紹如何進(jìn)行MOS集成電路的芯片解剖。此外，還介紹如何識別雙極集成電路的版圖。此后又詳細(xì)介紹集成電路的各種設(shè)計方法，比較各種設(shè)計方法的優(yōu)缺點，并對集成電路的可靠性設(shè)計和可測性設(shè)計進(jìn)行了專門的介紹。最后介紹集成電路計算機(jī)輔助設(shè)計中常用的一些工具以及計算機(jī)輔助設(shè)計的過程，并對VHDL做了簡介。每章后面都附有習(xí)題。本書取材內(nèi)容兼顧了基礎(chǔ)知識和集成電路的最新發(fā)展，并重點介紹集成電路設(shè)計特別是版圖設(shè)計。本書可作為大專院校微電子學(xué)和半導(dǎo)體專業(yè)本科生的教材，也可供有關(guān)專業(yè)的本科生、研究生以及工程技術(shù)人員閱讀參考。

作者簡介

暫缺《半導(dǎo)體集成電路》作者簡介

圖書目錄

第1章  集成電路的基本制造工藝
     1. 1  雙極集成電路的基本制造工藝
     1. 1. 1  典型的雙極集成電路工藝
     1. 1. 2  雙極集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu)
     1. 2  MOS集成電路的基本制造工藝
     1. 2. 1  N溝硅柵E／D MoS集成電路工藝
     1. 2. 2  CMoS集成電路工藝
     1. 3  Bi-CMOS工藝
     1. 3. 1  以CMOS工藝為基礎(chǔ)的Bi—CMOS工藝
     1. 3. 2  以雙極工藝為基礎(chǔ)的Bi—CMOS工藝
     復(fù)習(xí)思考題
   第2章  集成電路中的晶體管及其寄生效應(yīng)
     2. 1  理想本征集成雙極晶體管的埃伯斯—莫爾(EM)模型
     2. 2  集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)
     2. 2. 1  NPN管工作于正向工作區(qū)和截止區(qū)的情況
     2. 2. 2  NPN管工作于反向工作區(qū)的情況
     2. 2. 3  NPN管工作于飽和區(qū)的情況
     2. 3  集成雙極晶體管的無源寄生效應(yīng)
     2. 3. 1  集成NPN晶體管中的寄生電阻
     2. 3. 2  集成NPN晶體管中的寄生電容
     2. 4  集成電路中的PNP管
     2. 4. 1  橫向PNP管
     2. 4. 2  襯底PNP管
     2. 4. 3  自由集電極縱向PNP管
     2. 5  集成二極管
     2. 5. 1  一般集成二極管
     2. 5. 2  集成齊納二極管和次表面齊納管
     2. 6  肖特基勢壘二極管(SBD)和肖特基箝位晶體管(SCT)
     2. 6. 1  肖特基勢壘二極管
     2. 6. 2  肖特基箝位晶體管
     2. 6. 3  SBD和SCT的設(shè)計
     2. 7  MOS集成電路中的有源寄生效應(yīng)
     2. 7. 1  場區(qū)寄生MOSFET
     2. 7. 2  寄生雙極型晶體管
     2. 7. 3  寄生PNPN效應(yīng)
     2. 8  集成電路中的MOS晶體管模型
     2. 8. 1  MOSl模型
     2. 8. 2  MOS2模型
     2. 8. 3  MOS3模型
     復(fù)習(xí)思考題
   第3章  集成電路中的無源元件
     3. 1  集成電阻器
     3. 1. 1  基區(qū)擴(kuò)散電阻
     3. 1. 2  其他常用的集成電阻器
     3. 1. 3  MOS集成電路中常用的電阻
     3. 2  集成電容器
     3. 2. 1  雙極集成電路中常用的集成電容器
     3. 2. 2  MOS集成電路中常用的MOS電容器
     3. 3  互連(內(nèi)連線)
     3. 3. 1  金屬膜互連
     3. 3. 2  擴(kuò)散區(qū)連線
     3. 3. 3  多晶硅連線
     3. 3. 4  交叉連線
     復(fù)習(xí)思考題
   第4章  晶體管—晶體管邏輯(TTL)電路
     4. 1  一般的TTL與非門
     4. 1. 1  標(biāo)準(zhǔn)TTL與非門(四管單元)
     4. 1. 2  54H／74H五管單元與非門
     4. 1. 3  六管單元與非門
     4. 2  STTL和LSTTL電路
     4. 2. 1  六管單元STTL與非門電路
     4. 2. 2  低功耗肖特基TTL(LSTTL)電路
     4. 3  LSTTL門電路的邏輯擴(kuò)展
     4. 3. 1  OC門
     4. 3. 2  三態(tài)邏輯(TSL)門
     4. 4  ASTTl和ALSTTL電路
     4. 5  中. 大規(guī)模集成電路中的簡化邏輯門
     4. 5. 1  簡化邏輯門
     4. 5. 2  單管邏輯門
     4. 6  LSTTL電路的版圖設(shè)計
     復(fù)習(xí)思考題
   第5章  發(fā)射極福合邏輯(ECL)電路
     5. 1  ECL門電路的工作原理
     5. 1. 1  射極耦合電流開關(guān)
     5. 1. 2  射極輸出器
     5. 1. 3  參考電壓源
     5. 2  ECL電路的邏輯擴(kuò)展
     5. 3  ECL電路的版圖設(shè)計特點
     5. 3. 1  劃分隔離區(qū)
     5. 3. 2  元器件的設(shè)計
     5. 3. 3  布局布線
     復(fù)習(xí)思考題
   第6章  集成注入邏輯(I2L)電路
     6. 1  1  I2L電路基本單元的結(jié)構(gòu)
     6. 2  I2L基本單元電路的工作原理
     6. 2. 1  當(dāng)前級的輸出為l態(tài)時的情況
     6. 2. 2  當(dāng)前級的輸出為0態(tài)時的情況
     6. 3  I2L電路分析
     6. 3. 1  I2L電路中的器件分析
     6. 3. 2  I2l電路分析
     6. 4  I2L電路的邏輯組合
     6. 5  I2L電路的工藝與版圖設(shè)計
     6. 5. 1  I2L電路的工藝設(shè)計
     6. 5. 2  I2L電路的版圖設(shè)計
     復(fù)習(xí)思考題
   第7章  MOS反相器
     7. 1  自舉反相器
     7. 2  耗盡負(fù)載反相器(E／D反相器)
     7. 3  CMOS反相器
     7. 3. 1  CMOS反相器的直流特性
     7. 3. 2  噪聲容限
     7. 3. 3  開關(guān)特性
     7. 3. 4  功耗
     7. 4  靜態(tài)內(nèi)部反相器的設(shè)計
     7. 4. 1  有比反相器的設(shè)計
     7. 4. 2  CMOS反相器的設(shè)計
     7. 5  動態(tài)反相器
     7. 5. 1  動態(tài)有比反相器
     7. 5. 2  動態(tài)無比反相器
     7. 5. 3  漏舉電路
     7. 6  按比例縮小理論
     7. 6. 1  器件和引線按CE理論縮小的規(guī)則
     7. 6. 2  按比例縮小的CV理論
     7. 6. 3  按比例縮小的QCV理論
     復(fù)習(xí)思考題
   第8章  MOS基本邏輯單元
     8. 1  NMOS邏輯結(jié)構(gòu)
     8. 1. 1  NMOS或非門電路
     8. 1. 2  NMOS與非門電路
     8. 1. 3  NMOS組合邏輯電路
     8. 2  CMOS邏輯結(jié)構(gòu)
     8. 2. 1  CMOS互補(bǔ)邏輯
     8. 2. 2  偽NMOS邏輯
     8. 2. 3  動態(tài)CMOS邏輯
     8. 2. 4  鐘控CMOS邏輯
     8. 2. 5  CMOS多米諾邏輯
     8. 3  級聯(lián)級的負(fù)載
     8. 4  影響門的電氣和物理結(jié)構(gòu)設(shè)計的因素
     8. 4. 1  MOS管的串聯(lián)和并聯(lián)
     8. 4. 2  襯偏調(diào)制效應(yīng)
     8. 4. 3  源漏電容
     8. 4. 4  電荷的再分配
     8. 5  各種邏輯類型的比較
     8. 6  傳輸門邏輯
     8. 7  RS觸發(fā)器
     8. 7. 1  NMOS RS觸發(fā)器
     8. 7. 2  CMOS RS觸發(fā)器
     8. 8  時鐘脈沖控制觸發(fā)器
     8. 8. 1  NMOS結(jié)構(gòu)的時鐘脈沖控制觸發(fā)器
     8. 8. 2  CMOS結(jié)構(gòu)的時鐘脈沖控制觸發(fā)器
     8. 9  D觸發(fā)器
     8. 9. 1  NMoS D觸發(fā)器
     8. 9. 2  CMOS D觸發(fā)器
     8. 10  施密特觸發(fā)器
     復(fù)習(xí)思考題
   第9章  MOS邏輯功能部件
     9. 1  多路開關(guān)
     9. 2  加法器和進(jìn)位鏈
     9. 2. 1  組合邏輯加法器
     9. 2. 2  傳輸門加法器
     9. 2. 3  進(jìn)位鏈
     9. 3  算術(shù)邏輯單元
     9. 3. 1  以E／D NMOS反相器為主體的算術(shù)邏輯單元
     9. 3. 2  以傳輸門為主體的算術(shù)邏輯單元
     9. 4  寄存器
     9. 4. 1  雙港寄存器
     9. 4. 2  移位寄存器
     9. 4. 3  堆棧移位寄存器
     9. 4. 4  動態(tài)移位寄存器
     復(fù)習(xí)思考題
   第10章  存儲器
     10. 1  存儲器的結(jié)構(gòu)
     10. 2  掩模編程ROM
     10. 3  現(xiàn)場可編程ROM(PROM)
     10. 4  可擦除可編程ROM(EPROM)
     10. 5  電可擦除可編程ROM(E2PROM)
     10. 5. 1  TEE8502的總體結(jié)構(gòu)和工作模式
     10. 5. 2  存儲單元和存儲矩陣
     10. 5. 3  外圍電路
     lo. 6  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)
     10. 7  動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)
     復(fù)習(xí)思考題
   第11章  接口電路
     11. 1  雙極邏輯系列間的接口電路
     11. 1. 1  ECL和TTL之間的接口電路
     11. 1. 2  I2L和TTL之間的接口電路
     11. 2  TTL和MOS邏輯系列間的接口電路
     11. 2. 1  TTL到CMOS的接口電路
     11. 2. 2  CMOS到TTL的接口電路
     11. 2. 3  E/D NMOS與TTL之間的接口電路
     復(fù)習(xí)思考題
   第12章  模擬集成電路中的基本單元電路
     12. 1  單管. 復(fù)合器件及雙管放大級
     12. 1. 1  雙極晶體管復(fù)合器件及雙管放大級
     12. 1. 2  MOS管放大級
     12. 2  恒流源電路
     12. 2. 1  精密匹配電流源
     12. 2. 2  PNP恒流源
     12. 3  偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路
     12. 3. 1  雙極型三管能隙基準(zhǔn)源
     12. 3. 2  雙極型二管能隙基準(zhǔn)源
     12. 3. 3  E/D NMOS基準(zhǔn)電壓源
     12. 3. 4  CMOS基準(zhǔn)電壓源
     復(fù)習(xí)思考題
   第13章  集成運算放大器
     13. 1  運算放大器的輸入級
     13. 1. 1  雙極晶體管射耦對差分輸入級
     13. 1. 2  MOS源耦對差分輸入級
     13. 2  輸出級電路
     13. 2. 1  雙極型輸出級電路
     13. 2. 2  MOS輸出級電路
     13. 3  雙極型集成運算放大器
     13. 3. 1  741型通用集成運放
     13. 3. 2  其他特殊運放
     13. 4  MOS集成運算放大器
     13. 4. 1  MOS集成運放的特點
     13. 4. 2  E/D NMOS集成運放
     13. 4. 3  全增強(qiáng)型NMOS集成運放
     13. 4. 4  CMOS集成運放
     13. 5  集成運算放大器的版圖設(shè)計
     13. 5. 1  雙極型集成運放的版圖設(shè)計
     13. 5. 2  MOS集成運放的版圖設(shè)計
     復(fù)習(xí)思考題
   第14章  MOS開關(guān)電容電路
     14. 1  開關(guān)電容等效電阻電路
     14. 1. 1  并聯(lián)型開關(guān)電容等效電阻電路
     14. 1. 2  串聯(lián)型開關(guān)電容等效電阻電路
     14. 2  開關(guān)電容積分器
     14. 3  開關(guān)電容低通濾波器
     復(fù)習(xí)思考題
   第15章  集成穩(wěn)壓器
     15. 1  集成穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)
     15. 2  啟動電路
     15. 2. 1  JFET啟動電路
     15. 2. 2  晶體管隔離啟動電路
     15. 3  保護(hù)電路
     15. 3. 1  調(diào)整管的過流及安全工作區(qū)保護(hù)
     15. 3. 2  過熱保護(hù)
     15. 4  三端固定輸出電壓式穩(wěn)壓電源
     15. 4. 1  啟動電路
     15. 4. 2  保護(hù)電路
     15. 4. 3  基準(zhǔn)電壓源和誤差放大器
     15. 4. 4  取樣電阻
     15. 5  集成穩(wěn)壓器的版圖設(shè)計
     15. 5. 1  調(diào)整管的版圖設(shè)計
     15. 5. 2  集成穩(wěn)壓器版圖設(shè)計的熱對稱考慮
     復(fù)習(xí)思考題
   第16章  D／A, A／D變換器
     16. 1  D／A變換器的基本原理
     16. 2  D／A變換器的基本類型
     16. 2. 1  電流定標(biāo)D／A變換器
     16. 2. 2  電壓定標(biāo)D／A變換器
     16. 2. 3  電荷定標(biāo)D／A變換器
     16. 3  A／D變換器的變換原理
     16. 3. 1  A／D變換器的方框圖
     16. 3. 2  主要變換誤差
     16. 4  A／D變換器的基本類型
     16. 4. 1  積分型A／D變換器
     16. 4. 2  逐次逼近式A／D變換器
     復(fù)習(xí)思考題
   第17章  集成電路設(shè)計概述
     復(fù)習(xí)思考題
   第18章  集成電路的正向設(shè)計
     18. 1  MOS集成電路的正向設(shè)計
     18. 1. 1  74HCl39電路簡介
     18. 1. 2  電路設(shè)計
     18. 1. 3  工程估算
     18. 1. 4  電路模擬
     18. 1. 5  版圖設(shè)計
     18. 1. 6  版圖檢查
     18. 2  雙極型集成電路的正向設(shè)計
     18. 2. 1  雙極型集成電路設(shè)計的特點
     18. 2. 2  雙極型集成電路中元件的圖形設(shè)計
     18. 2. 3  雙極型集成電路的版圖設(shè)計原則
     18. 2. 4  雙極型集成電路版圖設(shè)計舉例
     復(fù)習(xí)思考題
   第19章  集成電路的芯片解剖
     19. 1  MOS集成電路的芯片解剖
     19. 1. 1  74HCl93芯片概況
     19. 1. 2  芯片解剖過程
     19. 1. 3  電路分析
     19. 1. 4  邏輯功能的分析
     19. 1. 5  版圖設(shè)計規(guī)則的分析
     19. 1. 6  抑制Latch—up效應(yīng)的措施
     19. 1. 7  版圖的布局布線
     19. 2  雙極型集成電路的芯片解剖
     復(fù)習(xí)思考題
   第20章  集成電路設(shè)計方法
     20. 1  全定制設(shè)計方法
     20. 2  符號法版圖設(shè)計
     20. 3  半定制設(shè)計方法
     20. 3. 1  標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計法
     20. 3. 2  門陣列設(shè)計方法
     20. 4  可編程邏輯器件(PLD)設(shè)計法
     20. 5  現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)設(shè)計法
     復(fù)習(xí)思考題
   第21章  集成電路的可靠性設(shè)計和可測性設(shè)計簡介
     21. 1  可靠性設(shè)計
     21. 1. 1  集成電路的固有可靠性
     21. 1. 2  電路設(shè)計中提高可靠性的措施
     21. 1. 3  版圖設(shè)計中提高可靠性的措施
     21. 1. 4  工藝設(shè)計中提高可靠性的措施
     21. 2  可測性設(shè)計
     21. 2. 1  可測性設(shè)計的重要性
     21. 2. 2  可測性設(shè)計簡介
     復(fù)習(xí)思考題
   第22章  集成電路的計算機(jī)輔助設(shè)計簡介
     22. 1  概述
     22. 2  集成電路CAD中常用的工具簡介
     22. 2. 1  器件模擬
     22. 2. 2  電路模擬
     22. 2. 3  邏輯模擬
     22. 2. 4  版圖設(shè)計階段
     22. 3  VHDL簡介
     22. 3. 1  VHDL術(shù)語
     22. 3. 2  VHDL的主體結(jié)構(gòu)
     22. 3. 3  VHDL描述舉例
     復(fù)習(xí)思考題
     主要參考文獻(xiàn)

作　者：	朱正涌編著
出版社：	清華大學(xué)出版社
叢編項：	清華大學(xué)電子與信息技術(shù)系列教材
標(biāo)　簽：	暫缺

ISBN：	9787302040859	出版時間：	2001-02-01	包裝：	平裝
開本：	26cm	頁數(shù)：	440	字?jǐn)?shù)：

半導(dǎo)體集成電路

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