CMOS集成電路原理與設(shè)計(jì)

    目 錄
   第一章 緒 論
    1－1 微電子技術(shù)的發(fā)展概況
    1－2IC的工藝技術(shù)及IC的分類(lèi)
    本章小結(jié)
   第二章 MOS FET的特性及其模型
    2－1MOSFET的VT
    2－2MOS FET的I－V特性
    2－3P溝MOS FET
    2－4MOSFET中的寄生電容
    2－5MOS FET中的寄生電阻
    2－6小尺寸MOS FET中出現(xiàn)的問(wèn)題
    2－7SPICE模擬程序中的MOSFET模型
    本章小結(jié)
    附錄：2μmN阱CMOS 工藝參數(shù)
   第三章 CMOS 反相器
    3－1CMOS 反相器及其電壓傳輸特性
    3－2CMOS 反相器的開(kāi)關(guān)特性
    3－3CMOS 反相器中的泄漏電流和功率－延遲乘積
    3－4CMOS 反相器的設(shè)計(jì)考慮
    本章小結(jié)
   第四章 CMOS 靜態(tài)邏輯電路
    4－1CMOS 靜態(tài)邏輯電路的一般結(jié)構(gòu)
    4－2CMOS與非門(mén)
    4－3CMOS 或非門(mén)
    4－4或門(mén)和與門(mén)
    4－5組合邏輯
    4－6異或門(mén)和同或門(mén)
    4－7靜態(tài)CMOS邏輯結(jié)構(gòu)的變種形式
    4－8三態(tài)輸出電路
    4－9準(zhǔn)（偽）NMOS/PMOS 邏輯
    4－10 靜態(tài)CMOS觸發(fā)電路
    4－11施密特觸發(fā)器
    本章小結(jié)
   第五章 CMOS開(kāi)關(guān)邏輯電路
    5－1CMOS傳輸門(mén)
    5－2開(kāi)關(guān)邏輯門(mén)
    5－3鎖存電路和觸發(fā)電路
    5－4陣列邏輯
    5－5差動(dòng)級(jí)聯(lián)電壓開(kāi)關(guān)邏輯
    5－6互補(bǔ)開(kāi)關(guān)晶體管邏輯
    5－7差動(dòng)錯(cuò)層邏輯
    5－8三態(tài)緩沖電路
    本章小結(jié)
   第六章 CMOS動(dòng)態(tài)邏輯電路
    6－1基本動(dòng)態(tài)CMOS 門(mén)電路
    6－2多米諾CMOS動(dòng)態(tài)邏輯
    6－3多輸出多米諾邏輯
    6－4鎖存多米諾邏輯
    6－5NORA邏輯
    本章小結(jié)
   第七章 基本功能電路
    71移位寄存器
    7－2加法器
    7－3乘法器
    本章小結(jié)
   第八章 存儲(chǔ)器
    8－1存儲(chǔ)器的組成
    8－2只讀存儲(chǔ)器
    8－3靜態(tài)RAM
    8－4動(dòng)態(tài)RAM
    8－5靈敏放大器
    本章小結(jié)
   第九章 可編程邏輯器件
    9－1概述
    9－2可編程邏輯陣列
    9－3EPLD
    9－4高密度的PLD結(jié)構(gòu)
    本章小結(jié)
   第十章 微處理器
    10－1概述
    10－2數(shù)據(jù)通道及系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
    10－3微碼控制器
    10－4精簡(jiǎn)指令技術(shù)
    本章小結(jié)
   第十一章 自動(dòng)化設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
    11－1 概述
    11－2集成電路版圖
    11－3設(shè)計(jì)規(guī)則檢查
    11－4電路提取
    11－5數(shù)字電路仿真
    11－6時(shí)序分析
    11－7RTL仿真
    本章小結(jié)
   附錄：典型P阱CMOS的工藝特征及設(shè)計(jì)規(guī)則