微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)（第2版）

第1篇 綜述與題材
第1章 微電子制造引論
1.1 微電子工藝：一個(gè)簡(jiǎn)單的例子
1.2 單項(xiàng)工藝與工藝技術(shù)
1.3 本課程教程
1.4 小結(jié)
第2章 半導(dǎo)體襯底
2.1 相圖和固溶度
2.2 結(jié)晶學(xué)和晶體結(jié)構(gòu)
2.3 晶體缺陷
2.4 直拉法（Czochralski法）單晶生長(zhǎng)
2.5 Bridgman法生長(zhǎng)GaAs
2.6 區(qū)熔法單晶生長(zhǎng)
2.7 圓片的制備和規(guī)格
2.8 小結(jié)及未來(lái)趨勢(shì)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2篇 單項(xiàng)工藝1：熱處理和離子注入
第3章 擴(kuò)散
3.1 一維費(fèi)克擴(kuò)散方程
3.2 擴(kuò)散的原子模型
3.3 費(fèi)克定律的分析解
3.4 簡(jiǎn)單理論的修正
3.5 常見(jiàn)雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)
3.6 擴(kuò)散分布的分析
3.7 SiO2中的擴(kuò)散
3.8 擴(kuò)散系統(tǒng)
3.9 擴(kuò)散分布的SUPREM模擬
3.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 熱氧化
4.1 迪爾和格羅夫氧化模型
4.2 線(xiàn)性和拋物線(xiàn)速率系數(shù)
4.3 初始階段的氧化
4.4 SiO2的結(jié)構(gòu)
4.5 SiO2的特性
4.6 摻雜雜質(zhì)對(duì)氧化和多晶氧化過(guò)程的影響
4.7 氧化誘生堆垛層錯(cuò)
4，8 替代的柵絕緣層"
4.9 氧化系統(tǒng)
4.10 SUPREM氧化+
4.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章 離子注入
5.1 理想化的離子注入系統(tǒng)
5.2 庫(kù)侖散射
5.3 垂直投影射程
5.4 溝道效應(yīng)和橫向投影射程
5.5 注入損傷
5.6 淺結(jié)的形成+
5.7 埋層介質(zhì)+
5.8 離子注入系統(tǒng)的問(wèn)題和關(guān)注點(diǎn)
5.9 用SUPREM模擬注入的分布"
5.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章 快速熱處理
6.1 灰體輻射，熱交換和光吸收
6.2 高強(qiáng)度光源和反應(yīng)腔設(shè)計(jì)
6.3 溫度測(cè)量
6.4 熱塑應(yīng)力
6.5 雜質(zhì)的快速熱激活
6.6 介質(zhì)的快速熱加工
6.7 硅化物和接觸的形成
6.8 其他的快速熱處理系統(tǒng)
6.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3篇 單元工藝2：圖形轉(zhuǎn)移
第7章 光學(xué)光刻
7.1 光學(xué)光刻概述
7.2 衍射
7.3 調(diào)制傳輸函數(shù)和光學(xué)曝光
7.4 光源系統(tǒng)和空間相干
7.5 接觸式／接近式光刻機(jī)
7.6 投影光刻機(jī)
7.7 先進(jìn)掩模概念
7.8 表面反射和駐波
7.9 對(duì)準(zhǔn)
7.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第8章 光刻膠
8.1 光刻膠類(lèi)型
8.2 有機(jī)材料和聚合物
8.3 DQN正膠的典型反應(yīng)
8.4 對(duì)比度曲線(xiàn)
8.5 臨界調(diào)制傳輸函數(shù)
8.6 光刻膠的涂敷和顯影
8.7 二級(jí)曝光效應(yīng)
8.8 先進(jìn)的光刻膠和光刻膠工藝
8.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第9章 非光學(xué)光刻技術(shù)
9.1 高能柬與物體之間的相互作用
9.2 直寫(xiě)電子束光刻系統(tǒng)
9.3 直寫(xiě)電子束光刻概要和展望
9.4 X射線(xiàn)源
9.5 接近式X射線(xiàn)系統(tǒng)
9.6 薄膜型掩模版
9.7 投影式X射線(xiàn)光刻
9.8 投影電子束光刻（SCALPEL）
9.9 電子束和X射線(xiàn)光刻膠
9.10 MOS器件中的輻射損傷
9.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第10章 真空科學(xué)和等離子體
10.1 氣體動(dòng)力學(xué)理論
10.2 氣體流動(dòng)及導(dǎo)率
10.3 壓力范圍和真空泵
10.4 真空密封和壓力測(cè)量
10.5 直流輝光放電
10.6 射頻放電
10.7 高密度等離子體
10.8 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第11章 刻蝕
11.1 濕法刻蝕
11.2 化學(xué)機(jī)械拋光
11.3 等離子刻蝕基本分類(lèi)
11.4 高壓等離子刻蝕
11.5 離子銑
11.6 反應(yīng)離子刻蝕
11.7 反應(yīng)離子刻蝕中的損傷十
11.8 高密度等離子體（HDP）刻蝕
11.9 剝離技術(shù)
11.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4篇 單項(xiàng)工藝3：薄膜
第12章 物理淀積：蒸發(fā)和濺射
12.1 相圖：升華和蒸發(fā)
12.2 淀積速率
12.3 臺(tái)階覆蓋
12.4 蒸發(fā)系統(tǒng)：坩鍋加熱技術(shù)
12.5 多組分薄膜
12.6 濺射簡(jiǎn)介
12.7 濺射物理
12.8 淀積速率：濺射產(chǎn)額
12.9 高密度等離子濺射
12.10 形貌和臺(tái)階覆蓋
12.11 濺射方法
12.12 特殊材料濺射
12.13 淀積膜內(nèi)的應(yīng)力
12.14 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第13章 化學(xué)氣相淀積
13.1 一種簡(jiǎn)單的硅淀積CVD系統(tǒng)
13.2 化學(xué)平衡和質(zhì)量作用定律
13.3 氣體流動(dòng)和邊界層
13.4 簡(jiǎn)單CVD系統(tǒng)評(píng)價(jià)
13.5 常壓介質(zhì)CVD
13.6 熱壁系統(tǒng)中的介質(zhì)和半導(dǎo)體低壓CVD
13.7 介質(zhì)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（PECVD）
13.8 金屬CVD
13.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第14章 外延生長(zhǎng)
14.1 圓片清洗和自然氧化物去除
14.2 氣相外延生長(zhǎng)的熱動(dòng)力學(xué)
14.3 表面反應(yīng)
14.4 摻雜劑的引入
14.5 外延生長(zhǎng)缺陷
14.6 選擇性生長(zhǎng)
14.7 鹵化物輸運(yùn)GaAs氣相外延
14.8 不共度和應(yīng)變異質(zhì)外延
14.9 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）
14.10 先進(jìn)的硅氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)
14.11 分子束外延技術(shù)
14.12 BCF理論+
14.13 氣態(tài)源MBE和化學(xué)束外延+
14.14 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5篇 工藝集成
第15章 器件隔離、接觸和金屬化
15.1 PN結(jié)隔離和氧化物隔離
15.2 LOCOS（硅的局部氧化）技術(shù)
15.3 溝槽隔離
15.4 絕緣體上硅隔離技術(shù)
15.5 半絕緣襯底
15.6 肖特基接觸
15.7 注入形成的歐姆接觸
15.8 合金接觸
15.9 多層金屬化
15.10 平坦化和先進(jìn)的互連工藝
15.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第16章 CMOS技術(shù)
16.1 基本長(zhǎng)溝道器件特性
16.2 早期MOS工藝技術(shù)
16.3 基本的3um工藝技術(shù)
16.4 器件等比例縮小
16.5 熱載流子效應(yīng)和漏極工程
16.6 用于堅(jiān)固氧化物的工藝
16.7 閂鎖效應(yīng)
16.8 淺源/漏和特定溝道摻雜
16.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第17章 GSASI藝技術(shù)
17.1 基本的MESFET工作原理
17.2 基本的MESFET工藝技術(shù)
17.3 數(shù)字電路工藝技術(shù)
17.4 單片微波集成電路技術(shù)
17.5 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）
17.6 光電子器件
17.7 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第18章 硅雙極型工藝技術(shù)
18.1 雙極型器件回顧；理想與準(zhǔn)理想特性
18.2 二階效應(yīng)
18.3 雙極型晶體管的性能
18.4 早期的雙極型工藝技術(shù)
18.5 先進(jìn)的雙極型工藝技術(shù)
18.6 雙極型晶體管中的熱載流子效應(yīng)
18.7 雙極一CMOS兼容工藝技術(shù)（BiCMOS）
18.8 模擬雙極型工藝技術(shù)
18.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第19章 微機(jī)電系統(tǒng)
19.1 力學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)
19.2 薄膜中的應(yīng)力
19.3 機(jī)械量到電量的變換
19.4 常見(jiàn)MEMS器件力學(xué)性質(zhì)
19.5 體微機(jī)械制造中的刻蝕技術(shù)
19.6 體微機(jī)械工藝流程
19.7 表面微機(jī)械制造基礎(chǔ)
19.8 表面微機(jī)械加工工藝流程
19.9 MEMS執(zhí)行器
19.10 大高寬比的微系統(tǒng)技術(shù)
19.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第20章 集成電路制造
20.1 成品率的預(yù)測(cè)和追蹤
20.2 顆粒控制
20.3 統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制
20.4 全因素試驗(yàn)和ANOVA
20.5 試驗(yàn)設(shè)計(jì)
20.6 計(jì)算機(jī)集成制造
20.7 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
附錄A 縮寫(xiě)與通用符號(hào)
附錄B 部分半導(dǎo)體材料性質(zhì)
附錄C 物理常數(shù)
附錄D 單位轉(zhuǎn)換因子
附錄E 誤差函數(shù)的一些性質(zhì)
附錄F F數(shù)
附錄G SUPREM指令