半導體器件物理基礎(chǔ)（曾樹榮）

主要符號表
第一章 半導體基本知識
  半導體中的載流子
  晶格振動
  載流子輸運現(xiàn)象
  半導體的光學性質(zhì)
第二章  p-n結(jié)
  熱平衡狀態(tài)
  耗盡區(qū)和耗盡層電容
  直流特性
  交流小信號特性；擴散電容
  電荷存儲和反向恢復(fù)時間
  結(jié)的擊穿
第三章 雙極型晶體管
  基本原理
  雙極型晶體管的直流特性
  雙極型晶體管模型
  雙極型晶體管的頻率特性
  雙極型晶體管的開關(guān)特性
  異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
  多晶硅發(fā)射極晶體管
  p-n-p-n結(jié)構(gòu)
第四章 化合物半導體場效應(yīng)晶體管
  肖特基勢壘和歐姆接觸
  GaAs MESFET
  高電子遷移率晶體管
第五章 MOS器件
  MOS結(jié)構(gòu)的基本性質(zhì)
  MOS場效應(yīng)晶體管的基本理論
  短溝道MOSFET
  SOI MOSFET
  埋溝MOSFET
  電荷耦合器件
第六章 有源微波二極管
  隧道二極管
  共振隧穿二極管
  IMPATT二極管
  轉(zhuǎn)移電子器件
第七章 半導體激光器和光電二極管
  半導體激光器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
  半導體激光器的工作特性
  雙異質(zhì)結(jié)激光器
  量子阱激光器
  光電二極管
主要參考文獻