電力電子設(shè)備用器件與集成電路應(yīng)用指南（第1冊 電力半導體器件及其驅(qū)動集成電路）

前言
第1章電力電子技術(shù)與電力電子設(shè)備的發(fā)展動向
1.1電力電子技術(shù)與電力電子設(shè)備
1.2電力半導體器件和功率集成電路
1.3電力電子設(shè)備和控制專用集成電路
第2章常用電力半導體器件
2.1概述
2.2晶閘管（Thyristor）
2.2.1晶閘管的基本結(jié)構(gòu)
2.2.2晶閘管的工作原理
2.2.3晶閘管三個極的鑒別方法
2.2.4晶閘管的基本特性
2.2.5晶閘管的主要技術(shù)參數(shù)
2.2.6晶閘管的串.并聯(lián)
2.2.7晶閘管的保護
2.2.8其他常用的不可控制關(guān)斷晶閘管
2.3門極關(guān)斷（GTO）晶閘管
2.3.1GTO的基本結(jié)構(gòu)
2.3.2GTO的工作原理
2.3.3GTO的基本特性
2.3.4GTO的主要技術(shù)參數(shù)
2.3.5GTO使用的共性問題
2.3.6GTO的應(yīng)用舉例
2.4電力晶體管（GTR）
2.4.1GTR的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.4.2GTR的基本特性
2.4.3GTR的主要技術(shù)參數(shù)
2.4.4GTR使用的共性問題
2.4.5GTR的應(yīng)用舉例
2.5電力MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2.5.1電力MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.5.2電力MOSFET的基本特性
2.5.3電力MOSFET的主要技術(shù)參數(shù)
2.5.4電力MOSFET使用的共性問題
2.5.5電力MOSFET的應(yīng)用舉例
2.6絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2.6.1基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.6.2IGBT的基本特性
2.6.3IGBT的主要技術(shù)參數(shù)
2.6.4IGBT使用的共性問題
2.6.5IGBT的應(yīng)用舉例
2.7靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）
2.7.1SITH的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.7.2SITH的基本特性
2.7.3SITH的主要技術(shù)參數(shù)
2.7.4SITH使用的共性問題
2.7.5SITH的應(yīng)用舉例
2.8靜電感應(yīng)晶體管（SIT）
2.8.1SIT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.8.2SIT的基本特性
2.8.3SIT的主要技術(shù)參數(shù)
2.8.4SIT使用的共性問題
2.8.5SIT的應(yīng)用舉例
2.8.6SIT家族中的重要一員-雙極型靜電感應(yīng)晶體管（BSIT）
2.9MOS控制晶閘管（MCT）
2.9.1MCT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.9.2MCT的基本特性
2.9.3MCT的主要技術(shù)參數(shù)
2.9.4MCT使用的共性問題
2.9.5MCT的應(yīng)用技術(shù)和發(fā)展前景
2.10快恢復二極管（FSR）
2.10.1FSR的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.10.2FSR的開關(guān)特性
2.10.3FSR的主要技術(shù)參數(shù)
2.10.4肖特基二極管
2.10.5FSR的應(yīng)用舉例
2.10.6常用FSR的電性能參數(shù)
2.11聯(lián)柵晶體管（GAT）
2.11.1GAT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.11.2GAT的主要設(shè)計特點和技術(shù)參數(shù)
2.11.3GAT的應(yīng)用舉例
2.12MOS雙門極發(fā)射極關(guān)斷晶閘管（EST）
2.13集成門極換向晶閘管（IGCT）
2.13.1IGCT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.13.2IGCT的主要性能特點和優(yōu)點
2.13.3IGCT的主要技術(shù)參數(shù)
2.13.4IGCT的基本特性
2.13.5IGCT與其他電力半導體器件的比較
2.13.6IGCT的應(yīng)用技術(shù)和舉例
2.14注入增強柵晶體管（IEGT）
2.14.1IEGT基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.14.2IEGT的分類
2.14.3IEGT的基本特性
2.14.4IEGT的主要技術(shù)參數(shù)
2.14.5IEGT與其他電力半導體器件的比較
2.14.6IEGT的應(yīng)用舉例
第3章電力半導體模塊和組件
3.1概述
3.2硅整流管（SR）模塊
3.2.1硅整流管模塊的電路結(jié)構(gòu)和參數(shù)
3.2.2一管封裝的快恢復硅整流管模塊
3.2.3兩管封裝的硅整流管模塊
3.2.4單相橋式硅整流管模塊
3.2.5三相橋式磋整流管模塊
3.2.6三相半橋整流管模塊
3.2.7肖特基整流管模塊
3.2.8高壓硅整流管模塊
3.3晶閘管模塊
3.3.1一管封裝的晶閘管模塊
3.3.2兩管封裝的晶閘管模塊
3.3.3與整流管混合兩管封裝的晶閘管模塊
3.3.4三管封裝的三相半橋晶閘管模塊
3.3.5四管封裝的晶閘管模塊和與整流管混合封裝的晶閘管模塊
3.3.6五管封裝的晶閘管模塊和與整流管混合封裝的晶閘管模塊
3.3.7六管封裝的晶閘管模塊和與整流管混合封裝的晶閘管模塊
3.3.8與整流管混合七管封裝的晶閘管模塊
3.3.9兩三相橋反并聯(lián)的晶閘管組件模塊
3.3.10派生晶閘管模塊
3.4集成移相調(diào)控晶閘管模塊
3.4.1主要設(shè)計特點
3.4.2內(nèi)部電路聯(lián)結(jié)形式和特性
3.4.3型號含義和電性能參數(shù)
3.4.4應(yīng)用技術(shù)
3.5電力晶體管（GTR）模塊
3.5.1一單元封裝的GTR模塊
3.5.2專為斬波器應(yīng)用設(shè)計的GTR模塊
3.5.3帶有齊納二極管的三級達林頓GTR模塊
3.5.4兩單元封裝的GTR模塊
3.5.5四單元封裝的GTR模塊
3.5.6六單元封裝的GTR模塊
3.5.7GTR模塊的應(yīng)用技術(shù)
3.6絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊
3.6.1IGBT模塊的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)
3.6.2一單元封裝的IGBT模塊
3.6.3斬波器用IGBT模塊
3.6.4兩單元封裝的IGBT模塊
3.6.5三單元同時共發(fā)射極與共柵極封裝的IGBT模塊
3.6.6四單元封裝的IGBT模塊
3.6.7六單元封裝的IGBT模塊
3.6.8其他類型的IGBT模塊
3.7電力MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）模塊
3.7.1一單元封裝的電力MOSFET模塊
3.7.2專為斬波器設(shè)計的電力MOSFET模塊
3.7.3兩單元封裝的電力MOSFET模塊
3.7.4四單元封裝的電力MOSFET模塊
3.7.5六單元封裝的電力MOSFET模塊
3.7.6單相整流橋與制動用MOSFET斬波管混合封裝的電力MOSFET模塊
3.8智能電力模塊（IPM）
3.8.1輸出功率級為單相半橋的IPM
3.8.2不帶制動轎回路的600VIPM
3.8.3帶制動斬波回路的600VIPM
3.8.4輸出為三相全橋不帶制動斬波回路的1200VIPM
3.8.5輸出為單相半橋不帶制動斬波回路的1200VIPM
3.8.6輸出為三相全橋帶制動斬波回路的1200VIPM
3.8.7輸出為單個IGBT的1200VIPM
3.8.8帶散熱器的IPM
3.9固態(tài)繼電器（SSR）
3.9.1SSR的分類和參數(shù)
3.9.2SSR的應(yīng)用技術(shù)
3.10電力半導體組件
3.10.1電力半導體組件與模塊的區(qū)別
3.10.2電力半導體組件的分類
3.10.3電力半導體組件的參數(shù)
第4章晶閘管移相觸發(fā)控制專用集成電路和模塊
4.1概述
4.2KJ001晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.3KJ004晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.4KJ006雙向晶閘管或反并聯(lián)晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.5KJ008雙向晶閘管過零觸發(fā)器集成電路
4.6KJ009高抗干擾性晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.7KJ010晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.8KJ0ll改進型晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.9TCA785晶閘管及晶體管移相觸發(fā)器集成電路
4.10TH101單相半控及全控晶閘管移相觸發(fā)器厚膜集成電路
4.11KC168單片數(shù)字式晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.12KJ041六路雙脈沖形成器集成電路
4.13KJ042脈沖列調(diào)制形成器集成電路
4.14TH103三相半控.全控晶閘管移相觸發(fā)器厚膜集成電路
4.15TC787／KJ787高性能晶閘管三相移相觸發(fā)器集成電路
4.16LZ110快速充電用晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.17LZ111改進型快速充電用晶閘管移相觸發(fā)器集成電路
4.18KM-18-2晶閘管移相觸發(fā)器厚膜集成電路
4.19KM-18-3可補雙脈沖晶閘管厚膜移相觸發(fā)器集成電路
4.20KTM03性能優(yōu)良的雙向晶閘管無級調(diào)功觸發(fā)器模塊
4.21ACRV01負載為純感抗時可程控的調(diào)壓觸發(fā)器模塊
4.22CF系列晶閘管觸發(fā)器模塊
4.23KC188智能型單片全數(shù)字化晶閘管三相觸發(fā)器集成電路
4.24KTM2011A新一代晶閘管觸發(fā)模塊
4.25KTM05晶閘管脈沖列觸發(fā)器模塊
第5章門極關(guān)斷（GTO）晶閘管的門極控制電路
5.1概述
5.2GTO要求的門極控制信號波形
5.3影響GTO門極控制技術(shù)的關(guān)鍵因素
5.4GTO的典型門極控制電路舉例
5.5HL301AGTO門極驅(qū)動器控制集成電路
5.6硬驅(qū)動——－GTO門極驅(qū)動技術(shù)的革命化進步
第6章電力晶體管（GTR）基極驅(qū)動和控制專用集成電路
6.1概述
6.2HL201GT基極驅(qū)動厚膜集成電路
6.3HL202GTR基極驅(qū)動厚膜集成電路
6.4UAA4002GTR基極驅(qū)動和保護集成電路
6.5UAA4003含有PWM發(fā)生器的GTR斬波器專用基極驅(qū)動集成電路
6.6EXB356/EXB357GTR基極驅(qū)動厚膜集成電路
6.7M57215BL／M57925L／M57950L驅(qū)動大電流GTR的厚膜驅(qū)動器集成電路
6.8M57915L／M57916L／M57917L／小電流GTR模塊厚膜驅(qū)動器集成電路
6.9M57951L／M57904L可同時驅(qū)動三個獨立GTR單元的厚膜驅(qū)動器集成電路
6.10MPD1202／TF1202可直接驅(qū)動100A以下GTR模塊的基極厚膜驅(qū)動器集成電路
6.11ZTP100／ZTP200GTR驅(qū)動保護集成電路
第7章電力MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動控制專用集成電路
7.1概述
7.2高速MOSFET驅(qū)動器設(shè)計中應(yīng)考慮的問題
7.3IR2101帶欠電壓封鎖功能的半橋MOSFET驅(qū)動器
7.4IR2110具有兩輸出的橋臂MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路
7.5IR2130可同時驅(qū)動三相橋電路中六個MOSFET的柵極驅(qū)動器集成電路
7.6IR2117單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路
7.7IR2125帶電流限制的MOSFET或IGBT驅(qū)動器集成電路
7.8TPS2832／TPS2833停滯時間控制同步降壓MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.9S19976DY橋式MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.10UC3724／UC3725隔離MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.11EL7144C雙輸入高速大電流MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.12EL7202C／EL7212C／EL7222C高速雙路電力MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.13HT04高壓隔離MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.14IR2133／IR2135／IR2233／IR2235三相全橋MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.15TLP250單MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.16MC34151／MC33151／MC34152／MC33152高速雙MOSFET驅(qū)動器集成電路
7.17MDCll00A具有集成門電路鉗位的MOSFET關(guān)斷器件
第8章絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）柵極驅(qū)動控制專用集成電路
8.1概述
8.2HL40lAIGBT厚膜驅(qū)動器集成電路
8.3HL402A（B）具有自保護功能的IGBT厚膜驅(qū)動器集成電路
8.4HL403A（B）可驅(qū)動600AIGBT模塊的厚膜驅(qū)動器集成電路
8.5UC1727／UC2727／UC3727隔離高端IGBT驅(qū)動器集成電路
8.6HR065IGBT柵極驅(qū)動器集成電路
8.7EXB系列IGBT厚膜驅(qū)動器集成電路
8.8M57957L／M57958L不含保護性能的IGBT厚膜驅(qū)動器集成電路
8.9M57959AL／M57962AL／M57959L／M57962L帶保護和定時復位功能的厚膜驅(qū)動器集成電路
8.10M57963L混合集成IGBT驅(qū)動器集成電路
8.11GH－038高速大容量IGBT驅(qū)動器集成電路
8.12GH－039帶有過電流保護功能的高速大容量IGBT厚膜驅(qū)動器集成電路
8.13SKH121／SKH122性能優(yōu)良的混合雙路IGBT.MOSFET驅(qū)動器集成電路
附錄
附錄A國產(chǎn)平板形派生晶閘管的標準系列
附錄B國產(chǎn)平板形和螺栓形晶閘管.整流管的標準系列
附錄C系列化電力半導體器件控制和驅(qū)動板選型指南
附錄D部分生產(chǎn)企業(yè)或供貨商名錄
參考文獻