晶體管原理

第1章 半導(dǎo)體、物理與工藝概要
1.1 晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)
1.2 半導(dǎo)體中的載流子
1.3 載流子的運(yùn)動(dòng)
1.4 半導(dǎo)體中的基本控制方程組
1.5 PN結(jié)的電學(xué)特性
1.6 基本器件工藝
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 晶體管的直流特性
2.1 晶體管的基本結(jié)構(gòu)及其雜質(zhì)分布
2.2 晶體管的放大機(jī)理
2.3 晶體管的直流伏安特性
2.4 直流電流增益
2.5 反向電流和擊穿電壓
2.7 特性曲線
2.8 晶體管模型
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 晶體管的頻率特性
3.1 基本概念
3.2 電流增益的頻率變化關(guān)系——截止頻率和特征頻率
3.3 高頻功率增益和最高振頻率
3.4 雙極晶體管的噪聲特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 雙極型晶體管的功率特性
4.1 基區(qū)大注入效應(yīng)對(duì)電流放大系數(shù)的影響
4.2 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)
4.3 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)
4.4 發(fā)射極極單位周長(zhǎng)電流容量
4.5 晶體管最大耗散功率P
4.6 二次擊穿和安全工作區(qū)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章 開關(guān)特性
5.1 晶體管的開關(guān)作用
5.2 晶體管的開關(guān)過(guò)程和開關(guān)時(shí)間
5.3 開關(guān)管正向壓降和飽和壓降
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
6.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的基本工作原理
6.2 JFET的直流參數(shù)和低頻小信號(hào)交流參數(shù)
6.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的頻率特性
6.4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)舉例
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第7章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
7.1 MOSEFT的基本工作原理和分類
7.2 MOSEFT的閾值電壓
7.3 MOSEFT的直流特性
7.4 MOSEFT的頻率特性
7.5 MOSEFT的擊穿特性
7.6 MOSEFT的功率特性和功率MOSEFT的結(jié)構(gòu)
7.7 MOSEFT的開關(guān)特性
7.8 MOSEFT的溫度特性
7.9 MOSEFT的噪聲特性
7.10 MOSEFT的短溝道和窄溝道效應(yīng)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)