半導體器件

第1章 半導體器件的發(fā)展
1.1 電子器件發(fā)展歷程中的“潮流與波浪”
1.2 從體單晶時代向多層化薄膜器件時代的發(fā)展
練習題
第2章 半導體的電學性質(zhì)
2.1 半導體的導電率
2.2 晶體中電子的有效質(zhì)量
2.3 電子狀態(tài)密度
2.4 載流子密度與溫度及禁帶寬度的依賴關(guān)系
2.4.1 載流子密度與溫度的關(guān)系
2.4.2 載流子密度隨禁帶寬度的變化
2.4.3 載流子密度與費米能級位置的關(guān)系
練習題
第3章 半導體界面的電子現(xiàn)象
3.1 半導體的清潔表面與實際表面及其電子狀態(tài)
3.2 pn結(jié)
3.3 異質(zhì)結(jié)
3.4 金屬一半導體界面
3.5 半導體一電介質(zhì)界面
3.6 晶粒間界
練習題
第4章 各種半導體二極管
4.1 pn結(jié)二極管
4.1.1 pn結(jié)二極管的直流電流一電壓特性
4.1.2 pn結(jié)二極管的交流特性
4.1.3 pn結(jié)二極管的直流電壓一電容特性
4.1.4 電壓一電流特性理論的修正
4.2 肖特基二極管的直流電流一電壓特性
4.3 異質(zhì)結(jié)二極管
4.4 江崎二極管與反向二極管的直流電流一電壓特性
4.4.1 電子穿過薄勢壘的幾率
4.4.2 簡并半導體pn結(jié)的電壓一電流特性
4.4.3 反向二極管的直流電流一電壓特性
練習題
第5章 雙極型功能器件
5.1 晶體管的作用
5.1.1 雙極晶體管的結(jié)構(gòu)
5.1.2 接地電路與電流的流動
5.1.3 輸入一輸出特性
5.2 雙極晶體管的工作原理
5.2.1 晶體管的放大功能
5.2.2 晶體管內(nèi)部的電流輸運機理
5.3 晶體管的性能參數(shù)（a，B，Y。Fa）
5.3.1 發(fā)射極注入效率70
5.3.2 基區(qū)輸運效率80
5.3.3 收集效率
5.3.4 高頻特性
5.4 漂移晶體管
5.4.1 載流子擴散的渡越時間
5.4.2 漂移晶體管的結(jié)構(gòu)和原理
5.5 晶閘管與SCR，GTO
5.5.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理
5.5.2 SCR（siliconcontrolledredtifier）
5.5.3 GTO（gateturnoff）
練習題
第6章 MoS型控制器件
6.1 場效應晶體管的工作原理
6.1.1 場效應晶體管的分類與結(jié)構(gòu)
6.1.2 MOS器件的結(jié)構(gòu)
6.2 MOS晶體管的電流一電壓特性
6.2.1 直流輸出特性
6.2.2 小信號交流特性
6.3 MOS晶體管的種類與結(jié)構(gòu)
6.4 MOS存儲器
6.4.1 MOS存儲器的分類
6.4.2 DRAM與SRAM
6.5 CCD與BBD及其電荷轉(zhuǎn)移功能
6.5.1 CCD
6.5.2 CCD的原理
6.5.3 CCD的用途
練習題
第7章 異質(zhì)結(jié)器件
7.1 GaAs系異質(zhì)結(jié)器件的重要性
7.1.1 GaAs系異質(zhì)結(jié)器件是重要的發(fā)展趨勢
7.1.2 GaAs的特征與物理基礎
7.2 異質(zhì)結(jié)與二維電子氣物理
7.2.1 載流子關(guān)閉引起的二維效應
7.2.2 能帶結(jié)構(gòu)
7.3 HEMT的工作原理和電學特性
7.3.1 HEMT的基本結(jié)構(gòu)與高電子遷移率特性
7.3.2 HEMT的工作原理
7.3.3 電學特性
7.4 微波HEMT
7.4.1 低噪聲HEMT
7.4.2 高輸出HEMT
7.5 超高速數(shù)字HEMT
7.5.1 基本電路形式和開關(guān)特性
7.5.2 計數(shù)器與可控制性
練習題
練習題簡答
參考文獻